德國(guó)Hellma-CaF₂氟化鈣LD-A 193nm
德國原廠製(zhì)造(zào)：Hellma坐(zuò)落(là)光學名(míng)城(chéng)耶(yé)拿，近百(bǎi)年精(jīng)密光(guāng)學晶體(tǐ)大(dà)廠，完(wán)整(zhěng)自研晶體(tǐ)生(shēng)長，提純(chún)，精密拋光，出(chū)廠(chǎng)檢(jiǎn)測(cè)全(quán)產綫，100%德(dé)國原產(chǎn)，光(guāng)刻(kè)機(jī)頭(tóu)部(bù)品牌(pái)ASML，尼(ní)康(kāng)，蔡司(sī)指(zhǐ)定上(shàng)遊(yóu)晶體供應(yīng)商。
一，LD-A專屬(shǔ)光(guāng)刻等級定義(yì)：區(qū)別通(tōng)用工(gōng)業級CaF₂，LD-A是Hellma專為193nmArF深(shēn)紫(zǐ)外光刻(kè)定(dìng)型特(tè)級單晶品(pǐn)級，晶格(gé)缺陷，雜(zá)質(zhì)，雙折(zhē)射做專項(xiàng)鎖控，不是(shì)普通氟化(huà)鈣可(kě)對標，行業標準化(huà)選型牌(pái)號(hào)，采購無需二次(cì)性能(néng)核驗(yàn)。
核心光學性(xìng)能賣點（技(jì)術(shù)工程(chéng)師(shī)選(xuǎn)型(xíng)核心，B2B詳情(qíng)頁(yè)核(hé)心(xīn)模塊(kuài)）
1）193nm深(shēn)紫外超(chāo)高(gāo)透(tòu)過，能量損耗(hào)極(jí)低
6N超高純原料(liào)提(tí)純(chún)，OH⁻，Fe，Cu等雜質控製ppb級別，193nm綫性(xìng)吸(xī)收(shōu)係數≤0.001cm⁻¹；
內部(bù)透(tòu)過率＞99.6%/cm，鍍膜後可達99.8%，遠優(yōu)於(yú)熔(róng)融石英（193nm透(tòu)過(guò)率不足(zú)70%）；10mm厚晶體(tǐ)193nm總(zǒng)透光率(shuài)≥92%，大幅降低激光熱累(léi)積，提升激(jī)光(guāng)器輸(shū)出(chū)效(xiào)率與整機(jī)產能。
透(tòu)光(guāng)波(bō)段130nm–8μm，深紫外，可見(jiàn)光，紅外多(duō)波段兼容(róng)，一套(tào)晶體可適配(pèi)多(duō)光路模(mó)塊復(fù)用(yòng)。
2）超低色散+超高(gāo)折(zhē)射率均匀性(xìng)，納(nà)米(mǐ)級(jí)成像精度(dù)保障(zhàng)
<111>優(yōu)晶向定(dìng)製，阿貝數95.23，色(sè)散僅(jǐn)常(cháng)規(guī)光學玻璃1/3，高效(xiào)校(xiào)正(zhèng)光(guāng)刻(kè)物鏡(jìng)色(sè)差，支(zhī)撐7–45nm先進芯片(piàn)製程(chéng)綫寬(kuān)精度；
折射率均匀性≤0.5ppm@633nm，杜(dù)絕光(guāng)束波(bō)前畸變；應(yīng)力(lì)雙(shuāng)折(zhē)射≤0.5nm/cm，消(xiāo)除(chú)偏振(zhèn)像差(chà)，曝光(guāng)光斑(bān)均匀(yún)無陰影，直(zhí)接提升光刻(kè)良(liáng)率(shuài)。
3）超(chāo)高(gāo)激(jī)光損傷閾值，適配高(gāo)重頻ArF激光器長期連(lián)續工(gōng)作
193nm激(jī)光(guāng)損(sǔn)傷閾(yù)值(zhí)＞10J/cm²，耐受(shòu)數(shù)千Hz高重復頻率(shuài)準分子(zǐ)激(jī)光持(chí)續(xù)輻(fú)照；
長(cháng)期(qī)激光照射不(bù)產(chǎn)生色心(xīn)，不透光衰(shuāi)減，不老化(huà)變色(sè)，鏡片更(gēng)換周期大(dà)幅(fú)拉(lā)長，減少設(shè)備(bèi)停機維(wéi)保頻(pín)次。
4）超精(jīng)密(mì)表麵(miàn)加工精(jīng)度(dù)
光學麵粗糙度Ra≤0.5nm，平麵(miàn)度≤λ/20（632.8nm）；
尺寸，厚(hòu)度(dù)公(gōng)差嚴格管(guǎn)控，邊緣安全倒角處理，裝(zhuāng)配無(wú)崩邊(biān)，無(wú)應力裝配(pèi)形變，適配高精度鏡座(zuò)批(pī)量自(zì)動(dòng)化(huà)裝配(pèi)。
三，熱學，機(jī)械，環境耐受(shòu)性
極速散熱抗熱(rè)畸(jī)變(biàn)：熱導率9.71W/(m・K)，是石英玻(bō)璃7倍；高功率激(jī)光(guāng)照射(shè)下(xià)熱(rè)畸變極(jí)小，不(bù)會局(jú)部過(guò)熱開裂，光(guāng)路漂(piāo)移，連續(xù)24h工(gōng)業量產工(gōng)況(kuàng)穩定(dìng)運(yùn)行。
溫(wēn)域(yù)適應性強(qiáng)：-50℃~+200℃溫(wēn)度區(qū)間透過(guò)率波動(dòng)≤0.5%；可適(shì)配(pèi)真空腔(qiāng)體，高(gāo)低溫(wēn)循環，航天太空(kōng)溫差(chà)（-170℃~120℃）場景。
低潮解+機(jī)械(xiè)穩(wěn)定：20℃水溶溶(róng)解度僅(jǐn)0.016g/L，遠(yuǎn)優於普通CaF₂，潮濕工(gōng)業車(chē)間，水冷(lěng)光路(lù)無(wú)潮(cháo)解腐(fǔ)蝕(shí)；立方單(dān)晶(jīng)結(jié)構(gòu)機(jī)械強(qiáng)度高(gāo)，抗衝(chōng)擊，抗振動，產綫設備(bèi)車(chē)載(zǎi)，機(jī)載搭(dā)載(zǎi)無(wú)隱(yǐn)患(huàn)。
抗高(gāo)能電(diàn)離輻(fú)射：≥10⁶rad輻(fú)射劑量下(xià)光學性能無(wú)衰(shuāi)減，適配(pèi)衛(wèi)星(xīng)紫(zǐ)外(wài)遙(yáo)感(gǎn)，高能物理真空(kōng)探(tàn)測(cè)等(děng)輻射環(huán)境設(shè)備。
四，B端(duān)精準應用(yòng)場(cháng)景
核心場(cháng)景(jǐng)：半導體(tǐ)193nmDUV光(guāng)刻(kè)設備(bèi)（最(zuì)大(dà)B端采購(gòu)市(shì)場(cháng)）
ArF幹(gān)式(shì)/浸潤(rùn)式光刻機：諧振(zhèn)腔(qiāng)輸出窗(chuāng)口，照明(míng)係(xì)統匀(yún)光(guāng)鏡，中繼整形鏡(jìng)，投(tóu)影(yǐng)物(wù)鏡核心鏡片（物鏡鏡片占比(bǐ)60%以上）；
芯(xīn)片先進製程曝光機，光刻檢測設備(bèi)，直接決(jué)定(dìng)曝光(guāng)分(fēn)辨(biàn)率，芯片良率。
配(pèi)套工業場景(jǐng)
高功率(shuài)準分(fēn)子激光設備：193nm激光打(dǎ)孔，微(wēi)刻蝕，精(jīng)密微加工(gōng)設備真空(kōng)隔離(lí)窗口(kǒu)，腔(qiāng)內基底；
航天(tiān)紫外載荷：衛星大氣(qì)臭氧(yǎng)探(tàn)測，深(shēn)空遙感光(guāng)學窗口(kǒu)，在(zài)軌(guǐ)長壽(shòu)命免維(wéi)護；
分析(xī)儀器：紫外分(fēn)光(guāng)光(guāng)度(dù)計，真空(kōng)光(guāng)譜儀(yí)深紫外光路(lù)核心元件(jiàn)；
科(kē)研(yán)高能(néng)物理(lǐ)設備(bèi)：真空束流(liú)診(zhěn)斷(duàn)，紫外同(tóng)步(bù)輻射(shè)光(guāng)束(shù)綫(xiàn)窗口片(piàn)。
德(dé)國Hellma-CaF₂氟化(huà)鈣LD-A 193nm
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