SUSS MicroTec-ASx係(xì)列(liè)全(quán)自動工藝(yì)平台
SUSS-MicroTecSE（集團母(mǔ)公(gōng)司(sī)），SUSS-MicroTec-Solutions是(shì)旗(qí)下核心(xīn)製造子(zǐ)公司，坐落(là)於(yú)德(dé)國(guó)巴(bā)登符騰堡(bǎo)州Sternenfels，主(zhǔ)營鍵合，塗覆(fù)，濕法工(gōng)藝(yì)設備生(shēng)產。
半(bàn)導體後端/先(xiān)進(jìn)封(fēng)裝，光(guāng)掩模設備隱(yǐn)形(xíng)
一，兩(liǎng)大核(hé)心業務(wù)板塊（SUSS完整(zhěng)解決(jué)方案(àn)體係(xì)）
1.AdvancedBackendSolutions先(xiān)進後(hòu)端解決方案(àn)（核(hé)心營收）
覆(fù)蓋光刻，塗膠(jiāo)顯(xiǎn)影(yǐng)，晶圓(yuán)鍵合，納米壓(yā)印(yìn)，激(jī)光(guāng)加工(gōng)，服務(wù)先(xiān)進封(fēng)裝，MEMS，化合物(wù)半(bàn)導體(tǐ)，功(gōng)率器(qì)件，光電(diàn)子(zǐ)。
（1）掩模對(duì)準光刻係統MaskAligner
MA係列（量(liáng)產全自(zì)動）
MA300Gen3（300mm晶圓），MA200Gen3（200mm）：亞(yà)微米對準，真空接觸曝光(guāng)最(zuì)小0.8μm綫寬(kuān)，2.5D/3D封裝(zhuāng)，扇(shàn)出型(xíng)WLP主力設(shè)備
MA/BAGen4Pro（半自動研(yán)發(fā)/中(zhōng)試）
MA6/MA8，適配(pèi)6/8英(yīng)寸，薄片/異(yì)形襯底，高校(xiào)實(shí)驗室(shì)，MEMS研發標(biāo)配
DSC300UV投(tóu)影(yǐng)掃描曝(pù)光機：300mm投(tóu)影(yǐng)光刻，厚膠(jiāo)，微透鏡，納米壓印專(zhuān)用(yòng)
MA6Gen4實驗(yàn)室光(guāng)刻機(jī)
（2）塗覆(fù)/顯影(yǐng)/濕法(fǎ)係(xì)統Coater&Developer
RCD係列，LabSpin旋塗(tú)機，噴(pēn)墨PiXDRO打印(yìn)平台：光刻(kè)膠，臨(lín)時鍵合膠，絕緣(yuán)層塗(tú)覆(fù)，顯影(yǐng)，剝(bāo)離(lí)，等(děng)離子預處理(lǐ)一(yī)體化設(shè)備
（3）晶(jīng)圓(yuán)鍵(jiàn)合WaferBonder
SUSS是混(hùn)合鍵合，支(zhī)撐HBM高帶(dài)寬存儲，3DIC堆疊(dié)：
XBS300：300mm臨(lín)時(shí)鍵合/解鍵合(hé)平(píng)台(tái)，超薄晶圓(yuán)減薄製程(chéng)
XBC300Gen2：晶圓-晶圓/晶粒(lì)-晶圓混合鍵(jiàn)合(hé)，對位(wèi)精(jīng)度(dù)±200nm，AI在綫(xiàn)空洞(dòng)檢(jiǎn)測
SB/XB係列(liè)：熔融(róng)鍵(jiàn)合，陽極鍵(jiàn)合，金(jīn)屬(shǔ)熱(rè)壓(yā)鍵(jiàn)合，MEMS傳感器(qì)，紅外器件量產
（4）配(pèi)套工藝(yì)設(shè)備
納米(mǐ)壓印SMILE平台(tái)，Tamarack激光微(wēi)加工(gōng)，解鍵(jiàn)合(hé)DB係(xì)列，高精度(dù)量測係統
2.PhotomaskSolutions光(guāng)掩模(mó)解決方案(àn)（前(qián)道(dào)掩模專用(yòng)）
為(wéi)芯片(piàn)製造廠光(guāng)罩車(chē)間提(tí)供全(quán)套(tào)掩(yǎn)模製(zhì)程(chéng)設備：
MaskTrack係列掩模清洗(xǐ)，顯影，剝(bāo)離(lí)，PEB烘(hōng)烤，pellicle貼(tiē)膜(mó)/撕(sī)膜(mó)機(jī)，適(shì)配7nm~28nm節(jié)點光(guāng)掩(yǎn)模(mó)量產(chǎn)，全球(qiú)頭(tóu)部晶(jīng)圓(yuán)廠(chǎng)標配。
二，一台(tái)ASx整合掩(yǎn)模製造(zào)後道全(quán)套(tào)濕法(fǎ)/熱工工序(xù)：
PEB曝光後(hòu)烘(hōng)烤（25區獨立控溫(wēn)加熱板）
高(gāo)精度顯影Develop
光刻膠剝離Strip
多藥(yào)液(yè)濕法(fǎ)清(qīng)洗(xǐ)Clean
精密(mì)幹燥(zào)，腔室(shì)閉(bì)環(huán)環(huán)境控(kòng)製
適(shì)配石英掩模版(bǎn)，鉻版(bǎn)，相移(yí)掩模PSM，OPC光(guāng)罩。
三，關鍵硬件(jiàn)與技術(shù)亮點
1.25分區(qū)智(zhì)能(néng)烘烤係(xì)統
溫度區間90~130℃，全(quán)域(yù)溫均匀性很(hěn)高(gāo)
內(nèi)置AI算法自動微調(tiáo)烘烤曲綫，精準(zhǔn)控製CD綫(xiàn)寬偏移，穩(wěn)定掩(yǎn)模圖形尺(chǐ)寸一致(zhì)性(xìng)
2.低(dī)缺陷A+噴嘴顯影(yǐng)係統(tǒng)
全域均匀(yún)噴淋顯(xiǎn)影(yǐng)液，無(wú)邊(biān)緣圖(tú)形畸變(biàn)
藥液(yè)循環多(duō)級(jí)精密(mì)過濾，大(dà)幅降(jiàng)低顆(kē)粒缺陷，一(yī)次清(qīng)洗良(liáng)率行業頂(dǐng)尖，延長掩(yǎn)模使(shǐ)用壽(shòu)命
3.緊湊(còu)型(xíng)整機(jī)占(zhān)地
整機外尺(chǐ)寸(cùn)僅(jǐn)1200×1200mm，相(xiāng)比競(jìng)品大(dà)幅節(jié)省潔淨車間麵(miàn)積，降低廠房建(jiàn)設與(yǔ)運(yùn)維成本（COO綜合(hé)擁有(yǒu)成本優勢明顯）
4.閉環潔(jié)淨(jìng)環(huán)境(jìng)控製
整(zhěng)機內(nèi)部(bù)獨立溫濕度，化學(xué)蒸(zhēng)汽隔離腔(qiāng)室，搭配(pèi)全自動化學(xué)過濾模(mó)組(zǔ)；
全(quán)程(chéng)密(mì)閉傳輸(shū)掩模版(bǎn)，杜絕(jué)外(wài)界(jiè)顆粒(lì)，酸鹼蒸汽汙染光罩(zhào)圖(tú)形。
5.高(gāo)可(kě)靠(kào)自動化集(jí)群(qún)架(jià)構
三，應(yīng)用場(cháng)景
晶圓(yuán)廠內部(bù)光掩(yǎn)模(mó)車(chē)間(jiān)（IDM廠(chǎng)自研光罩產(chǎn)綫(xiàn)）
專(zhuān)業第三(sān)方(fāng)光(guāng)掩(yǎn)模(mó)製造(zào)廠商(shāng)（MaskShop）
存(cún)儲(chǔ)，邏輯芯片(piàn)65nm~250nm節(jié)點量(liáng)產光罩(zhào)加(jiā)工
先進(jìn)14nm及以(yǐ)下節點掩模驗證，小批量試產(chǎn)
四，核(hé)心技(jì)術(shù)優勢(shì)
全(quán)流(liú)程閉(bì)環(huán)工藝：業(yè)內(nèi)少數可(kě)同(tóng)時提(tí)供(gōng)「塗膠→曝光→顯影→預(yù)處理(lǐ)→鍵合→檢(jiǎn)測」一(yī)體化成套方(fāng)案廠商(shāng)
超高對位精度(dù)：鍵合機±200nm，光刻(kè)機(jī)亞(yà)微米級(jí)多(duō)層套刻能力(lì)，適(shì)配異(yì)構集成
模(mó)塊化(huà)量產平(píng)台：研發機型工藝可無縫(féng)遷移(yí)至(zhì)全(quán)自(zì)動量(liáng)產綫，降低中(zhōng)試轉產(chǎn)成本
AI工藝(yì)檢測：鍵(jiàn)合界(jiè)麵(miàn)空洞機器(qì)學習自動識別，提升3D堆疊(dié)良率
多(duō)材質兼(jiān)容：矽，碳化(huà)矽，氮化(huà)镓(jiā)，玻璃(lí)，石(shí)英(yīng)，超(chāo)薄臨(lín)時載(zǎi)片(piàn)，異(yì)形(xíng)襯底(dǐ)通
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